日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動(dòng)方式

制造工藝：

二次光刻光敏區(qū)工藝。采用此技術(shù)，在次光刻

后去掉膠層，進(jìn)行氧化層的生長(zhǎng)，約為500 a左右

件下（0.32μm） 有大的分辯率。此時(shí)光電流大

，分辯率高。注入條件為：磷注入， 能量為

；然后進(jìn)行次光刻，透過(guò)二氧化硅層進(jìn)行光敏

區(qū)bf2 的離子注入。這有兩個(gè)方面處，一是可有

光敏區(qū)內(nèi)外電阻率比控工藝。影響高分辯率的因素

有結(jié)深、邊界條件及有效光敏區(qū)內(nèi)外電阻率之比等

效地保護(hù)光敏區(qū)的表面，保護(hù)二氧化硅和硅的界面

；二是利用其屏蔽作用制得滿足器件要求的結(jié)深。

。對(duì)于同一種器件結(jié)構(gòu)，光敏區(qū)在一個(gè)結(jié)深條

60kev , 劑量為4e15;硼注入， 能量60kev , 劑量為

1e13;光敏注入，能量為40kev ,劑量為4e13。

類(lèi)型介紹：

它是利用檢測(cè)平衡狀態(tài)下浮子浮力的變化來(lái)進(jìn)行位

置測(cè)量的。此外，它還可以配備微機(jī)，使其具有自

的衰減愈小，但是反射效率也小，所以需要根據(jù)距

離、物體表面狀況等因素來(lái)選擇聲波傳感器類(lèi)型

檢、自診斷和遠(yuǎn)傳的功能，它的是測(cè)量位置的

通過(guò)向被測(cè)物體表面發(fā)射聲波，被其反射后，傳

感器接受，通過(guò)時(shí)間和聲速來(lái)計(jì)算其到物體表面的

范圍寬、精度高。它是一種非接觸式位置的產(chǎn)品，

對(duì)于一些不宜接觸測(cè)量的場(chǎng)合是的選擇。它是

距離。聲波有一個(gè)特性它的頻率愈低，隨著距離

。高性能產(chǎn)品能分別出哪些是信號(hào)波，哪些是噪聲

，而且還可以在高溫和大風(fēng)的情況下檢測(cè)液位。

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